我司能够提供4-6英寸厚膜深沟腐蚀SOI晶片。该类SOI晶片使用了厚膜SOI技术，最先进的高纵横比深沟槽蚀刻及氧化物/聚填充而得以实现。这是一种介电隔离技术，使同一芯片上的各组件之间形成高压隔离。它的好处有：可消除埋层、epi层及P+隔离扩散，最小化寄生电容，高质量硅晶体层，增加可得芯片数，高电压击穿能力。

我司提供的硅-硅直接键合晶片可以经济有效地替代传统厚外延层和逆外延片，可用于功率器件和引脚二极管等应用领域。晶片直接键合技术可以生产含有多层单晶硅的硅基板，各层的电阻率范围是1 mΩ/厘米—10 kΩ/厘米，晶体方向可以是N型、P型或两者的组合，这是传统外延晶片所无法达到的。

我司能够提供4-6英寸腔键合SOI晶片，广泛应用于MEMS微机电领域。该类SOI晶片采用了先进的深硅沟蚀刻和晶圆键合技术。腔键合SOI是在硅薄膜下预先蚀刻了腔结构，这使客户免于SOI结构坍缩影响，简化了后续加工流程，为智能设备芯片开发提供了先发优势。我们还可根据需求提供C-SAM和AVI检验，并乐于同客户一起探索在腔键合SOI中加入其他先进性能。

BonTek可以提供世界领先的4-8英寸绝缘体上硅SOI晶片，广泛应用于MEMS微机电领域。我们对各种SOI基材均拥有丰富的经验，我们的应用工程团队在光学、惯性和其他MEMS领域都有丰富的经验，可以帮助客户选择最佳的参数组合，提供具有高性价比的定制化SOI解决方案。BonTek会是您理想的SOI合作伙伴。